Klaus von Klitzing

klitzing_von2010

Data di nascita: 28 giugno 1943
Luogo: Schroda (Germania)
Nomina: 22 maggio 2007
Disciplina: Fisica
Titolo: Professore, Premio Nobel in Fisica, 1985

Principali premi, riconoscimenti e accademie
Premi: Premio Schottky (1981); Premio Hewlett Packard (1982); Premio Nobel in Fisica (1985); Medaglia Dirac (1988); Premio Philip Morris (1990); Medaglia Eötvös (1994); Premio per una carriera nelle scienze, Birla Science Center (1999); Bayerischer Maximiliansorden für Wissenschaft und Kunst; Carl Friedrich Gauß-Medaille (2005). Dottorati onorari dalle Università di 12 paesi. Accademie: US National Academy of Sciences; Accademia delle scienze russa; Royal Society of London; Accademia delle Scienze cinese; Ehrenmitglied Deutsche Physikalische Gesellschaft; Accademia metereologica russa; Bayerische Akademie der Wissenschaften; Heidelberg Akademie der Wissenschaften; Deutsche Akademie der Naturforscher Leopoldina; Academia Europea; Accademia delle scienze austriaca; American Physical Society; Accademia delle scienze e della tecnologia, Corea del Sud; Istituto di Fisica, Regno Unito; Istituto di Fisica, Singapore; NTT Basic Research Laboratory Advisory Board; Scientific Committee International Solvay Institutes; Kuratorium Physikalisch-Technische Bundesanstalt Braunschweig; Kuratorium Deutsches Museum München; Consiglio di amministrazione IBZ Università di Stuttgart; Comitato Premio 'Innovationspreis der deutschen Wirtschaft'; Membro della Giuria Programma START-Wittgenstein Austria; Consiglio di amministratori fiduciari Istituto di Studi Avanzati di TUM; Comitato consultivo Nano Initiative Monaco di Baviera.


Riassunto dell’attività scientifica
Prof. Klitzing ha vinto il Premio Nobel per la Fisica nel 1985 per la sua scoperta che, in condizioni appropriate, la resistenza offerta da un conduttore elettrico è quantizzata e cioè, varia per passi distinti invece che con regolarità e continuità. Il Prof. Klitzing ha dimostrato che la resistenza elettrica avviene in unità molto precise utilizzando l’effetto Hall. L’effetto Hall denota il voltaggio che si sviluppa tra i bordi di un sottile nastro che trasporta corrente, posto tra i poli di un magnete intenso. Il rapporto tra questo voltaggio e a corrente si chiama resistenza di Hall. Quando il campo magnetico è molto forte e la temperatura è molto bassa, la resistenza di Hall varia solo tramite i salti distinti osservati da Klitzing. La dimensione di quei salti è direttamente collegata alla cosiddetta costante di struttura fine, che definisce il rapporto matematico tra il moto di un elettrone nella sua orbita più interna intorno ad un nucleo atomico alla velocità della luce. L’importanza della scoperta di Klitzing, avvenuta nel 1980, è stata immediatamente riconosciuta. I suoi esperimenti hanno permesso ad altri scienziati di studiare le proprietà conduttive dei componenti elettronici con straordinaria precisione. Il suo lavoro ha inoltre permesso di determinare il valore preciso della costante di struttura fine e di stabilire standard utili per la misurazione della resistenza elettrica.


Main publications
Series Editor of Nanoscience and Technology (Springer); Series Editor of Springer Series in Solid-State Sciences; Editor of Physics and Applications of Quantum Wells and Supelattices (Plenum Press); Editorial Board, Superlattices and Microstructures (Academic Press); Executive Board, Encyclopedia of Physical Science & Technology (Academic Press); over 500 publications in scientific journals and conference proceedings, of which the main ones are: von Klitzing, K., Dorda, G., Pepper, M., New Method for High-Accuracy Determination of the Fine Structure Constant Based on Quantized Hall Resistance, Physical Review Letters 1980, 45, (6), 494-7; Stein, D., von Klitzing, K., Weimann, G., Electron-Spin Resonance on Gaas-Alxga1-Xas Heterostructures, Physical Review Letters 1983, 51, (2), 130-3; von Klitzing, K., The Quantized Hall-Effect, Reviews of Modern Physics 1986, 58, (3), 519-31; Dobers, M., von Klitzing, K., Weimann, G., Electron-Spin Resonance in the Two-Dimensional Electron Gas of Gaas-Alxga1-Xas Heterostructures, Physical Review B 1988, 38, (8), 5453-6; Weiss, D., von Klitzing, K., Ploog, K., Weimann, G., Magnetoresistance Oscillations in a Two-Dimensional Electron-Gas Induced by a Submicrometer Periodic Potential, Europhysics Letters 1989, 8, (2), 179-84; Blick, R.H., Pfannkuche, D., Haug, R.J., von Klitzing, K., Eberl, K., Formation of a coherent mode in a double quantum dot, Physical Review Letters 1998, 80, (18), 4032-5; Mani, R.G., Smet, J.H., von Klitzing, K., Narayanamurti, V., Johnson, W.B., Umansky, V., Zeroresistance states induced by electromagnetic-wave excitation in GaAs/AlGaAs heterostructures, Nature 2002, 420, (6916), 646-50; Kukushkin, I.V., Smet, J.H., von Klitzing, K., Wegscheider, W., Cyclotron resonance of composite fermions. Nature 2002, 415, (6870), 409-12; Kukushkin, I.V., Akimov, M.Y., Smet, J.H., Mikhailov, S.A., von Klitzing, K., Aleiner, I.L., Falko, V.I., New type of B-periodic magneto-oscillations in a two-dimensional electron system induced by microwave irradiation. Physical Review Letters 2004, 92, (23); von Klitzing, K. (2005), '25 years of quantum hall effect (QHE) a personal view on the discovery, physics and applications of this quantum effect', Quantum Hall Effect: Poincare Seminar 2004 45, 1-21; Kukushkin, I.V., Smet, J.H., Abergel, D.S.L., Fal'ko, V.I., Wegscheider, W., von Klitzing, K., Detection of the electron spin resonance of two-dimensional electrons at large wave vectors. Physical Review Letters 2006, 96, (12); Hubel, A., Held, K., Weis, J., Von Klitzing, K. (2008), Correlated Electron Tunneling through Two Separate Quantum Dot Systems with Strong Capacitive Interdot Coupling, Physical Review Letters 101(18), 186804; Martin, J., Akerman, N., Ulbricht, G., Lohmann, T., Smet, J.H., Von Klitzing, K., Yacoby, A. (2008), Observation of electron-hole puddles in graphene using a scanning single-electron transistor, Nature Physics 4(2), 144-8; Kukushkin, I.V., Smet, J.H., Scarola, V.W., Umansky, V., von Klitzing, K. (2009), Dispersion of the Excitations of Fractional Quantum Hall States, Science 324(5930), 1044-7; Lohmann, T., von Klitzing, K., Smet, J.H. (2009), Four-Terminal Magneto-Transport in Graphene p-n Junctions Created by Spatially Selective Doping, Nano Letters 9(5), 1973-9; Yoon, Y., Tiemann, L., Schmult, S., Dietsche, W., von Klitzing, K., Wegscheider, W. (2010), Interlayer Tunneling in Counterflow Experiments on the Excitonic Condensate in Quantum Hall Bilayers, Physical Review Letters 104(11), 116802; Weis, J., von Klitzing, K. (2011), Metrology and microscopic picture of the integer quantum Hall effect, Philosophical Transactions of the Royal Society A-mathematical Physical and Engineering Sciences 369(1953), 3954-74.

Indirizzo professionale

Max-Planck-Institute for Solid State Research
D-70569 Stuttgart (Fed. Rep. of Germany)

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